国际高端专家先进技术课程
功率半导体器件的技术、挑战与应用
组织机构：中国电源学会、上海海事大学
支持单位：国家外国专家局、上海电源学会
时间地点：2013年10月21-26日 上海
课程宗旨： 本课程旨在国内首次全面系统地介绍最新功率半导体器件，包括：碳化硅和砷化镓技术，深入分析高频开关器件的结构、参数特性、器件选择与保护，着重破解业界在电力电子器件大功率应用的难题。通过课程的学习和相互交流，能更深刻理解重要的功率器件的原理与参数特性，掌握应用技术关键，为未来在各个领域的应用奠定坚实的技术基础。
在国家外国专家局“国际高端专家项目”的资助下，特邀德国科学院院士，国际著名电力电子专家Leo Lorenz博士作为主讲者，他曾在全球各地的著名高等365足球外围平台、研究机构和国际会议讲授过该类课程，深受欢迎。这次，还邀请了中国电源学会学术委员会主任、浙江大学徐德鸿教授、上海交通大学蔡旭教授、法国海军学院J. Charpentier博士等国内外知名学者与著名厂商一同授课。
参加对象： 全国各高校的青年教师、博士生、研究生；
科研机构和企业的研发人员和工程师
课程安排：
时间 | 内容 | 主讲人 |
10月21日（周一） | ||
上午 | 开幕式 | 中国电源学会领导：开幕词 上海海事大365足球外围平台领导：欢迎词 |
上午 | 第一讲：电力电子器件的新技术与发展趋势 | 浙江大学徐德鸿教授 |
下午 | 第二讲：电力半导体器件基础与物理理解 2.1 Key device concepts and electrical characteristics 2.2 Challenges in SMART Power Integration 2.3 Basic semiconductor structures of major devices and their comparison based on carrier concentration profiles 2.4 Semiconductor material and conductivity 2.5 PN- structure, SCR, blocking capability | 德国科学院院士Leo Lorenz博士 |
10月22日（周二） | ||
上午 | 第三讲：快速开关二极管器件 3.1 Reverse Blocking Capability 3.2 Build up and remove Electron-Hole-Plasma during turn-on and turn-off intervals 3.3 Dynamic performance of FRED-Diode 3.4 Limits of FRED-Diode and development trend | 德国科学院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第四讲：电力电子器件在船舶与海洋工程方面的应用 4.1 power converters for marine energy system 4.2 power converters for ship electric propulsions | 法国海军学院Charpentier博士 |
10月23日（周三） | ||
上午 | 第五讲：GaN器件原理及应用 5.1 GaN Physics and development history 5.2 Device design & package scheme 5.3 600-V GaN device performance 5.4 GaN boost circuits 5.5 GaN resonant circuits 5.6 GaN bridge circuits | 美国Transphorm公司 Dr. Yifeng Wu |
下午 | 第六讲：风力发电中的电力电子技术 6.1风电机组变流器 6.2海上风电多端柔性直流 6.3风电场动态无功支撑 | 上海交通大学蔡旭教授 |
10月24日（周四） | ||
上午 | 第七讲：单极型器件的概念与Power MOSFET 7.1 Basics of MOS-controlled device 7.2 Power MOSFET cell structure, static and switching behaviour 7.3 Device parasitics and impact on dynamic performance 7.4 Super junction device, characteristics and difference to conventional technologies 7.5 New development in low voltage power MOSFET and challenges in application 7.6 Device limits, avalanche behaviour and future design criteria 7.7 Driving and protection | 德国科学院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第八讲：大功率电力电子器件及其应用 8.1 IGBT 芯片技术和以及针对应用提升性能 8.2 IGBT在输配电的应用趋势 | 德国英飞凌半导体公司 陈子颖博士 |
10月25日（周五） | ||
上午 | 第九讲：基于碳化硅的单极型功率器件 9.1 SiC schotty diode and electrical performance 9.2 Device limits and benefits in application 9.3 SiC-JEFT and electrical behaviour 9.4 Future development trends 9.5 Ultra fast switching-challenges in Power Converter Systems | 德国科学院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 第十讲：电力电子器件的保护与散热 10.1 半导体熔断器技术 10.2 母线排在变换器的应用 10.3 电力电子器件的冷却板 | 法国Mersen电气保护公司 |
10月26日（周六） | ||
上午 | 第十一讲MOS控制的双极型器件 11.1 Basics of carrier modulated devices 11.2 Static and dynamic performance (electron-hole-plasma modulation) 11.3 Overload characteristics, short circuit capability and destruction modes 11.4 Avalanche characteristics (dynamic evaluation behaviour) 11.5 di/dt, dv/dt-limits and physical effect 11.6 Driving and protection circuit for low- and high-power devices 11.7 Impact of fast switching to circuit and device parasitics 11.8 Thermal management, and loss calculation | 德国科学院院士Leo Lorenz博士 |
下午 | 参观上海洋山深水港 | |
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